单粒子翻转英文缩写SEU（Single-EventUpsets），航天电子学术语，原因是在空间环境下存在着大量高能带电粒子，计算机中的CMOS电子元器件受到地球磁场、宇宙射线等照射，引起电位状态的跳变，“0”变成“1”，或者“1”变成“0”，但一般不会造成器件的物理性损伤。

　　单粒子翻转指标用单粒子翻转率来描述，单粒子翻转率是器件每天每位发生单粒子翻转的概率，计算质子单粒子翻转率的一般性公式：

　　{\displaystyleR_{p}=\int_{E_{0}}^{\infty}\sigma_{p}(E)\varphi(E)\,dE(SEU/bit\cdotd)}{\displaystyleR_{p}=\int_{E_{0}}^{\infty}\sigma_{p}(E)\varphi(E)\,dE(SEU/bit\cdotd)}其中：{\displaystyleE_{0}}E_{0}为阈值能量，单位MeV；{\displaystyle\sigma_{p}(E)}{\displaystyle\sigma_{p}(E)}为质子单粒子翻转截面积，单位{\displaystylecm^{2}/bit}{\displaystylecm^{2}/bit}；{\displaystyle\varphi(E)}{\displaystyle\varphi(E)}为质子微分流量。